STMicroelectronics STGD6M65DF2

Número da peça: STGD6M65DF2
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - IGBTs - Único

STMicroelectronics

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Parâmetro do produto

Número da peça	STGD6M65DF2
Status da Parte	Active
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)	650V
Current - Collector (Ic) (Max)	12A
Corrente - Coletor pulsado (Icm)	24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 6A
Power - Max	88W
Mudança de energia	36µJ (on), 200µJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Carga do portão	21.2nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C	15ns/90ns
Condição de teste	400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Tempo de recuperação inversa (TRR)	140ns
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos de fornecedores	DPAK