Número da peça | DTD713ZMT2L |
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Status da Parte | Not For New Designs |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 30V |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 1k |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Frequência - Transição | 260MHz |
Power - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | SOT-723 |
Pacote de dispositivos de fornecedores | VMT3 |
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
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Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
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