Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single NP90N04VUG-E1-AY

Renesas Electronics America NP90N04VUG-E1-AY

Número da peça
NP90N04VUG-E1-AY
Fabricante
Renesas Electronics America
Descrição
MOSFET N-CH TO-252
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

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Parâmetro do produto
Número da peça NP90N04VUG-E1-AY
Status da Parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 45A, 10V
Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-252
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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