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| Número da peça | NTLGF3501NT2G |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.14W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 6-DFN (3x3) |
| Pacote / Caso | 6-VDFN Exposed Pad |
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
Em estoque: 117000
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
Em estoque: 192000
