Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos NSVMUN5312DW1T2G

ON Semiconductor NSVMUN5312DW1T2G

Número da peça
NSVMUN5312DW1T2G
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça NSVMUN5312DW1T2G
Status da Parte Active
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Frequência - Transição -
Power - Max 250mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos de fornecedores SC-88/SC70-6/SOT-363
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