Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso NSVMMUN2217LT1G

ON Semiconductor NSVMMUN2217LT1G

Número da peça
NSVMMUN2217LT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça NSVMMUN2217LT1G
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Frequência - Transição -
Power - Max 246mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-23-3 (TO-236)
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