Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso NSVDTC123EM3T5G

ON Semiconductor NSVDTC123EM3T5G

Número da peça
NSVDTC123EM3T5G
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça NSVDTC123EM3T5G
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 2.2k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Frequência - Transição -
Power - Max 260mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-723
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-723
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