Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos MUN5113DW1T1G

ON Semiconductor MUN5113DW1T1G

Número da peça
MUN5113DW1T1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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  • 15,000 pcs

    0.01642/pcs

  • 30,000 pcs

    0.01545/pcs

  • 75,000 pcs

    0.01449/pcs

  • 150,000 pcs

    0.01288/pcs
Total:0.02488/pcs Unit Price:
0.02488/pcs		 Preço alvo:
 Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça MUN5113DW1T1G
Status da Parte Active
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Frequência - Transição -
Power - Max 250mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos de fornecedores SC-88/SC70-6/SOT-363
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