Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays PMWD16UN,518

NXP USA Inc. PMWD16UN,518

Número da peça
PMWD16UN,518
Fabricante
NXP USA Inc.
Descrição
MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Parâmetro do produto
Número da peça PMWD16UN,518
Status da Parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.6nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1366pF @ 16V
Power - Max 3.1W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-TSSOP
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