Número da peça | PMDPB28UN,115 |
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Status da Parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 4.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 4.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 265pF @ 10V |
Power - Max | 510mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacote de dispositivos de fornecedores | DFN2020-6 |
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descrição: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Em estoque: 0
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descrição: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
Em estoque: 0
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descrição: MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6
Em estoque: 3000
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descrição: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
Em estoque: 0
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
Em estoque: 0