Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays PMDPB28UN,115

NXP USA Inc. PMDPB28UN,115

Número da peça
PMDPB28UN,115
Fabricante
NXP USA Inc.
Descrição
MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Parâmetro do produto
Número da peça PMDPB28UN,115
Status da Parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 265pF @ 10V
Power - Max 510mW
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-UDFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos de fornecedores DFN2020-6
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