Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single PHT8N06LT,135

NXP USA Inc. PHT8N06LT,135

Número da peça
PHT8N06LT,135
Fabricante
NXP USA Inc.
Descrição
MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Parâmetro do produto
Número da peça PHT8N06LT,135
Status da Parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 55V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
Vgs (Max) ±13V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 5A, 5V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-223
Pacote / Caso TO-261-4, TO-261AA
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Fabricante: NXP USA Inc.

Descrição: MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223

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