Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single PHK28NQ03LT,518

NXP USA Inc. PHK28NQ03LT,518

Número da peça
PHK28NQ03LT,518
Fabricante
NXP USA Inc.
Descrição
MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Parâmetro do produto
Número da peça PHK28NQ03LT,518
Status da Parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 23.7A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.3nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 20V
Vgs (Max) ±20V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 14A, 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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PHK28NQ03LT,518

Fabricante: NXP USA Inc.

Descrição: MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC

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