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| Número da peça | PH9030AL,115 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 61A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.8nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1006pF @ 12V |
| Vgs (Max) | - |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 15A, 10V |
| Temperatura de operação | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | LFPAK56, Power-SO8 |
| Pacote / Caso | SC-100, SOT-669 |
Fabricante: Pulse Electronics Corporation
Descrição: XFMR GATE-DR 1CT:1CT SM NPB
Em estoque: 0
Fabricante: Pulse Electronics Corporation
Descrição: XFMR GATE-DR 2CT:1CT SM NPB
Em estoque: 0
Fabricante: Pulse Electronics Corporation
Descrição: XFMR GATE-DR 3CT:4CT SM NPB
Em estoque: 0
Fabricante: Pulse Electronics Corporation
Descrição: XFMR GATE-DR 4CT:3CT SM NPB
Em estoque: 0
