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| Número da peça | BUK652R6-40C,127 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 40V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 199nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11334pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 263W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220AB |
| Pacote / Caso | TO-220-3 |
Fabricante: NXP USA Inc.
Descrição: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Em estoque: 0
Fabricante: NXP USA Inc.
Descrição: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Em estoque: 0
Fabricante: NXP USA Inc.
Descrição: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Em estoque: 0
Fabricante: NXP USA Inc.
Descrição: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Em estoque: 0
Fabricante: NXP USA Inc.
Descrição: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Em estoque: 0
