Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays PHKD6N02LT,518

Nexperia USA Inc. PHKD6N02LT,518

Número da peça
PHKD6N02LT,518
Fabricante
Nexperia USA Inc.
Descrição
MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Nexperia

Nexperia

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Parâmetro do produto
Número da peça PHKD6N02LT,518
Status da Parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 10.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.3nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 10V
Power - Max 4.17W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
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PHKD6N02LT,518

Fabricante: Nexperia USA Inc.

Descrição: MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1

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