Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF MS2200

Microsemi Corporation MS2200

Número da peça
MS2200
Fabricante
Microsemi Corporation
Descrição
TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Total:185.79340/pcsUnit Price:
185.79340/pcs		Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peçaMS2200
Status da ParteActive
Tipo de transistorNPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)65V
Frequência - Transição400MHz ~ 500MHz
Figura de ruído (dB Typ @ f)-
Ganho9.7dB
Power - Max1167W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 5A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)43.2A
Temperatura de operação200°C (TJ)
Tipo de montagemChassis Mount
Pacote / CasoM102
Pacote de dispositivos de fornecedoresM102
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