Número da peça | JANTXV1N5614 |
---|---|
Status da Parte | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 200V |
Corrente - Média Rectificada (Io) | 1A |
Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 1.3V @ 3A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de recuperação inversa (TRR) | 2µs |
Corrente - vazamento inverso @ Vr | 500nA @ 200V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | A, Axial |
Pacote de dispositivos de fornecedores | - |
Temperatura de operação - junção | -65°C ~ 200°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 87
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 100
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 39
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 36
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 4