Número da peça | JANTX2N3507A |
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Status da Parte | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 1.5A, 2V |
Power - Max | 1W |
Frequência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-39 (TO-205AD) |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 87
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 100
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 39
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 36
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 4