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| Número da peça | JANTX2N2857 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo de transistor | NPN |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 15V |
| Frequência - Transição | 500MHz |
| Figura de ruído (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 450MHz |
| Ganho | 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz |
| Power - Max | 200mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 3mA, 1V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-72-3 Metal Can |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-72 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 87
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 100
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 39
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 36
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 4
