provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Número da peça | APTM50HM38FG |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET Feature | Standard |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 500V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 90A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 246nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11200pF @ 25V |
| Power - Max | 694W |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | SP6 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | SP6 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Em estoque: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Em estoque: 46
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
Em estoque: 0
