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| Número da peça | APTM20AM10STG |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Standard |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 200V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 175A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 87.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 224nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13700pF @ 25V |
| Power - Max | 694W |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | SP4 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | SP4 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 200V 372A SP6
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 200V 317A SP6
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 200V 208A SP4
Em estoque: 0
