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| Número da peça | APT50GT120B2RDQ2G |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 94A |
| Corrente - Coletor pulsado (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 625W |
| Mudança de energia | 2330µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Carga do portão | 340nC |
| Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 24ns/230ns |
| Condição de teste | 800V, 50A, 4.7 Ohm, 15V |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-247-3 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | - |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 135A 781W TMAX
Em estoque: 7
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 120A 521W SOT227
Em estoque: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 135A 781W TO264
Em estoque: 95
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 600V 75A 277W SOT227
Em estoque: 10
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 600V 75A 277W SOT227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 134A 543W TO-247
Em estoque: 19
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 134A 543W TO264
Em estoque: 71
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 600V 107A 366W TO247
Em estoque: 114
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 600V 107A 366W TO247
Em estoque: 0
