provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Número da peça | APT43GA90BD30 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo IGBT | PT |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 900V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 78A |
| Corrente - Coletor pulsado (Icm) | 129A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 47A |
| Power - Max | 337W |
| Mudança de energia | 875µJ (on), 425µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Carga do portão | 116nC |
| Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 12ns/82ns |
| Condição de teste | 600V, 25A, 4.7 Ohm, 15V |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-247-3 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247 [B] |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
Em estoque: 26
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 900V 78A 337W TO-247
Em estoque: 51
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 900V 78A 337W TO247
Em estoque: 52
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
Em estoque: 30
