Número da peça | APT25GR120SSCD10 |
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Status da Parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1200V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 75A |
Corrente - Coletor pulsado (Icm) | 100A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
Power - Max | 521W |
Mudança de energia | 434µJ (on), 466µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do portão | 203nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 16ns/122ns |
Condição de teste | 600V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
Tempo de recuperação inversa (TRR) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Pacote de dispositivos de fornecedores | D3Pak |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 67A 272W TMAX
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 67A 272W TO247
Em estoque: 13
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
Em estoque: 29
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 69A 417W TO247
Em estoque: 284
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 69A 417W TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 900V 72A 417W TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 900V 72A 417W TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 75A 521W TO247
Em estoque: 285