provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Número da peça | 2N4261 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo de transistor | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 15V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 1mA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 200mW |
| Frequência - Transição | - |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-72-3 Metal Can |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-72 |
