Número da peça | IXFP3N120 |
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Status da Parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 1200V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 200W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220AB |
Pacote / Caso | TO-220-3 |
Fabricante: IXYS
Descrição: MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
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