Infineon Technologies IPP80N06S209AKSA2

Número da peça: IPP80N06S209AKSA2
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

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(Em dólares americanos)
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10 pcs
0.66150/pcs
100 pcs
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1,000 pcs
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Parâmetro do produto

Número da peça	IPP80N06S209AKSA2
Status da Parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	55V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 125µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2360pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Feature	-
Dissipação de energia (máx.)	190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TO220-3-1
Pacote / Caso	TO-220-3