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| Número da peça | IPP045N10N3GXKSA1 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 100V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | PG-TO-220-3 |
| Pacote / Caso | TO-220-3 |
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Em estoque: 9438
