Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPP027N08N5AKSA1

Infineon Technologies IPP027N08N5AKSA1

Número da peça
IPP027N08N5AKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH TO220-3
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Parâmetro do produto
Número da peça IPP027N08N5AKSA1
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 80V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 154µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8970pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 100A, 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO-220-3
Pacote / Caso TO-220-3
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Fabricante: Infineon Technologies

Descrição: MOSFET N-CH TO220-3

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