Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPC014N03L3X1SA1

Infineon Technologies IPC014N03L3X1SA1

Número da peça
IPC014N03L3X1SA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Parâmetro do produto
Número da peça IPC014N03L3X1SA1
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2A (Tj)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 2A, 10V
Temperatura de operação -
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores Sawn on foil
Pacote / Caso Die
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