Infineon Technologies BSS670S2LH6327XTSA1

Número da peça: BSS670S2LH6327XTSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

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Parâmetro do produto

Número da peça	BSS670S2LH6327XTSA1
Status da Parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	55V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	540mA (Ta)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 2.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.26nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	75pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Feature	-
Dissipação de energia (máx.)	360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 270mA, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-SOT23-3
Pacote / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3