Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSC190N15NS3GATMA1

Infineon Technologies BSC190N15NS3GATMA1

Número da peça
BSC190N15NS3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Parâmetro do produto
Número da peça BSC190N15NS3GATMA1
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 150V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2420pF @ 75V
Vgs (Max) ±20V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TDSON-8
Pacote / Caso 8-PowerTDFN
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