Infineon Technologies BCR196E6327HTSA1

Número da peça: BCR196E6327HTSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso

Infineon Technologies

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Parâmetro do produto

Número da peça	BCR196E6327HTSA1
Status da Parte	Last Time Buy
Tipo de transistor	PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	70mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	22k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Frequência - Transição	150MHz
Power - Max	200mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-SOT23-3