Número da peça | GP1M003A050CG |
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Status da Parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 395pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 52W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 1.25A, 10V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de dispositivos de fornecedores | D-Pak |
Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Em estoque: 0
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: MOSFET N-CH 800V 3A TO220
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
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