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| Número da peça | IRLI510ATU |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 100V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440 mOhm @ 2.8A, 5V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | I2PAK |
| Pacote / Caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
Em estoque: 1732
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP
Em estoque: 1256
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP
Em estoque: 0
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
Em estoque: 0
