Número da peça | FQP11N50CF |
---|---|
Status da Parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2055pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 195W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 5.5A, 10V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220-3 |
Pacote / Caso | TO-220-3 |
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
Em estoque: 0
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220
Em estoque: 0