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| Número da peça | FQA11N90 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 900V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 11.4A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960 mOhm @ 5.7A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-3P |
| Pacote / Caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
Em estoque: 50
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
Em estoque: 0
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
Em estoque: 58
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
Em estoque: 0
