Número da peça | FGA6540WDF |
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Status da Parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 650V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Corrente - Coletor pulsado (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
Power - Max | 238W |
Mudança de energia | 1.37mJ (on), 250µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do portão | 55.5nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 16.8ns/54.4ns |
Condição de teste | 400V, 40A, 6 Ohm, 15V |
Tempo de recuperação inversa (TRR) | 101ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-3PN |
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: IGBT 650V 120A 306W TO3P
Em estoque: 423
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: IGBT 600V 120A 298W TO3P
Em estoque: 78
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: IGBT 650V 120A 600W TO3P
Em estoque: 277
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: IGBT 650V 60A 176W TO3PN
Em estoque: 448
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: IGBT 650V 80A 238W TO-3PN
Em estoque: 449
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: IGBT 650V 120A 306W TO-3PN
Em estoque: 425