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| Número da peça | FDM606P |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.92W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-MLP, MicroFET (3x2) |
| Pacote / Caso | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
