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| Número da peça | FDI9409_F085 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 40V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2980pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 94W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 80A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | I2PAK (TO-262) |
| Pacote / Caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB
Em estoque: 395
Fabricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 40V
Em estoque: 488
