Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso DRDPB26W-7

Diodes Incorporated DRDPB26W-7

Número da peça
DRDPB26W-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Parâmetro do produto
Número da peça DRDPB26W-7
Status da Parte Active
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased + Diode
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 220
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 47 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Frequência - Transição 200MHz
Power - Max 200mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-363
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