Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays DMN2016UTS-13

Diodes Incorporated DMN2016UTS-13

Número da peça
DMN2016UTS-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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0.11586/pcs
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Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peçaDMN2016UTS-13
Status da ParteActive
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C8.58A
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.5nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1495pF @ 10V
Power - Max880mW
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / Caso8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de dispositivos de fornecedores8-TSSOP
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