Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays DMG8822UTS-13

Diodes Incorporated DMG8822UTS-13

Número da peça
DMG8822UTS-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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0.09804/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça DMG8822UTS-13
Status da Parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 841pF @ 10V
Power - Max 870mW
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-TSSOP
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Fabricante: Diodes Incorporated

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