Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso DDTD143EC-7-F

Diodes Incorporated DDTD143EC-7-F

Número da peça
DDTD143EC-7-F
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Parâmetro do produto
Número da peça DDTD143EC-7-F
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 47 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Frequência - Transição 200MHz
Power - Max 200mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-23-3
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