Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso DDTD122TC-7-F

Diodes Incorporated DDTD122TC-7-F

Número da peça
DDTD122TC-7-F
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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    (Em dólares americanos)
  • 1 pcs

    0.02783/pcs
  • 3,000 pcs

    0.01543/pcs
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    0.01392/pcs
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    0.01210/pcs
  • 30,000 pcs

    0.01089/pcs
  • 75,000 pcs

    0.00968/pcs
  • 150,000 pcs

    0.00805/pcs
Total:0.02783/pcs Unit Price:
0.02783/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça DDTD122TC-7-F
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 220
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Frequência - Transição 200MHz
Power - Max 200mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-23-3
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