Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos DDA114EH-7

Diodes Incorporated DDA114EH-7

Número da peça
DDA114EH-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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    (Em dólares americanos)
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    0.07623/pcs
  • 3,000 pcs

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    0.07161/pcs
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  • 30,000 pcs

    0.06144/pcs
Total:0.07623/pcs Unit Price:
0.07623/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça DDA114EH-7
Status da Parte Active
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) -
Frequência - Transição 250MHz
Power - Max 150mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-563
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