Número da peça | CWDM3011P TR13 |
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Status da Parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 8V |
Vgs (Max) | 20V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 11A, 10V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SOIC |
Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descrição: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Em estoque: 15000
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descrição: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Em estoque: 5000
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descrição: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Em estoque: 2500
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descrição: MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descrição: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Em estoque: 0