Número da peça | AOTF4S60 |
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Status da Parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 263pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 31W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2A, 10V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220-3F |
Pacote / Caso | TO-220-3 Full Pack |
Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrição: IGBT 650V 10A TO220
Em estoque: 1000
Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrição: IGBT 650V 10A TO220
Em estoque: 1000
Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrição: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Em estoque: 0
Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrição: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Em estoque: 0