부품 번호 | VS-GB400TH120N |
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부품 상태 | Active |
IGBT 형 | - |
구성 | Half Bridge |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 1200V |
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 800A |
전력 - 최대 | 2604W |
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 400A (Typ) |
전류 - 콜렉터 차단 (최대) | 5mA |
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce | 32.7nF @ 25V |
입력 | Standard |
NTC 서미스터 | No |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Chassis Mount |
패키지 / 케이스 | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
공급 업체 장치 패키지 | Double INT-A-PAK |
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: MODULE MTP SWITCH
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
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제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
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제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
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제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK
재고: 0