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부품 번호 | TK58A06N1,S4X |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | N-Channel |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 58A (Tc) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 500µA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 46nC @ 10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3400pF @ 30V |
Vgs (최대) | ±20V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 35W (Tc) |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 29A, 10V |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
공급 업체 장치 패키지 | TO-220SIS |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET N-CH 60V 58A TO-220
재고: 77